Delenummer : | NSBA123JDXV6T1G |
---|---|
Produsent / Merke : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Beskrivelse : | TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 |
RoHs Status : | Blyfri / RoHS-kompatibel |
Antall tilgjengelige | 5924 pcs |
Dataark | NSBA123JDXV6T1G.pdf |
Spenning - Samler Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Metning (Maks) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Leverandør Enhetspakke | SOT-563 |
Serie | - |
Motstand - Emitterbase (R2) | 47 kOhms |
Motstand - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Strøm - Maks | 500mW |
emballasje | Tape & Reel (TR) |
Pakke / tilfelle | SOT-563, SOT-666 |
Andre navn | NSBA123JDXV6T1GOS NSBA123JDXV6T1GOS-ND NSBA123JDXV6T1GOSTR |
Monteringstype | Surface Mount |
Vannfølsomhetsnivå (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frekvens - Overgang | - |
Detaljert beskrivelse | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563 |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Gjeldende - Samler Cutoff (Maks) | 500nA |
Nåværende - Samler (Ic) (Maks) | 100mA |
Basenummer | NSBA1* |